瞄准AI电源、硅光芯片等，功率半导体代工龙头芯联集成启动200亿元四期项目

每经记者｜朱成祥    每经编辑｜李雨冰    

国内四大晶圆代工厂中，中芯国际是综合性晶圆代工厂商，华虹宏力偏向特色工艺。晶合集成以显示驱动起家，正积极拓展CIS（摄像头传感器）业务，而排名第四的芯联集成（SH688469，股价7.31元，市值612.77亿元），主要收入来源于功率半导体，特别是车规级功率半导体。

在AI（人工智能）风潮之下，芯联集成也把目光投向了AI电源芯片和光互联领域。

6月11日晚间，芯联集成披露公告，公司拟在绍兴市与相关方合资建设一条月产能5万片的12英寸数模混合芯片生产线，该项目计划总投资约200亿元，其中公司出资30.12亿元，持股25.1%。

6月12日开盘后，芯联集成一度上涨超15%，不过之后又震荡回落。

从功率芯片到一站式代工

芯联集成表示，公司拟与绍兴市杭绍临空经济一体化发展示范区绍兴片区管理委员会（以下简称“杭绍临空”）合作，签署《关于芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司之合资框架协议》，合资经营芯联先进集成电路制造（绍兴）有限公司（以下简称“芯联先进”），作为芯联12英寸车规级数模混合芯片制造项目（以下简称“四期项目”）的实施主体，建设一条5万片/月的12英寸集成电路车规级数模混合芯片生产线，主要技术和产品方向为40/28纳米MCU/DSP（微控制器/数字信号处理器）、90/55纳米 BCD/DrMOS（前者为模拟IC核心制造工艺，后者为驱动与MOSFET封装在一起的高效功率模块）等模拟电路、55纳米硅光/激光驱动等芯片。

公告披露，该项目计划总投资约200亿元，其中资本金120亿元，银行贷款80亿元。资本金中，芯联集成拟出资30.12亿元，杭绍临空牵头组建的地方产业基金以及其他联合投资主体拟出资30亿元，其他市场化资金拟出资59.88亿元。

功率芯片主要分为功率半导体和模拟IC（集成电路）。功率半导体（或称功率器件）主要由MOSFET（金属-氧化物-半导体场效晶体管）和IGBT（绝缘栅双极晶体管）组成，这是芯联集成擅长的领域。

芯联集成于2025年年报中表示，公司是中国最大的车规级IGBT生产基地之一，同时公司在SiC（碳化硅） MOSFET出货量上稳居亚洲前列，是国内产业中率先突破主驱用SiC MOSFET产品的头部企业，2025年公司8英寸碳化硅已经实现量产出货。

此次扩产，拓展模拟IC核心制造工艺BCD平台产能。此外，当下功率芯片与MCU等控制芯片的集成度越来越高。

公司在2025年年报中也提出，在纵向维度上，逐步完成从功率器件、模拟IC、MCU到系统方案的全层级布局，构建起“功率—模拟IC—MCU—系统代工方案”的战略实现路径，全方位满足客户由点到面、从单一芯片到整体应用的全链条代工需求。

以新能源汽车为例，其三电系统中的电控，就由控制系统和功率变换系统组成，控制系统主要便是MCU，而功率变换系统，就主要由功率半导体和模拟IC组成。

四期项目达产后，芯联集成将由纯粹的功率半导体代工龙头，升级为系统级代工厂商，可以提供从功率半导体、模拟IC到MCU的一站式代工服务。

拓展AI电源、光互联业务

据了解，芯联集成四期项目主要聚焦五大工艺平台。除了MCU和数模混合芯片平台外，还有55纳米AI服务器高频电源管理芯片制造平台、55纳米硅光芯片平台和面向光引擎的55纳米SiGe（硅锗合金）跨阻放大器和激光驱动芯片平台。

其中，55纳米AI服务器高频电源管理芯片制造平台面向AI服务器电源系统，为CPU/GPU（中央处理器/图形处理器）提供高功率密度供电方案。公司正进一步扩产高端电源管理芯片产能，以应对全球AI算力爆发带来的市场需求。

芯联集成曾于2025年年报中表示，AI数据中心电源领域，大模型及AI应用的不断涌现和迭代，使得全球算力需求呈现增长态势，数据中心建设规模持续扩大、服务器数量增加、单台服务器机柜功耗不断上升。算力的尽头是电力，AI算力的扩张有望持续推动高功率、高效率和高稳定性的AI服务器电源需求增长。

此外，AI大模型的运行需要算力、运力和存力的配合。而在运力中充当重要角色的，正是光模块，或称之为光互连。

据了解，55纳米硅光芯片平台面向数据中心光互连、AI集群通信、高速光模块三大应用。在一期8英寸硅光芯片大规模扩产和三期基地12英寸90纳米硅光技术的基础上，四期项目会继续建设和扩大55纳米硅光芯片产能，深入布局光互联技术。而面向光引擎的55纳米SiGe跨阻放大器和激光驱动芯片平台，则覆盖高速光模块接收端和发射端的核心电芯片。

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